氮化物半导体外延调控及其光电器件
时间：2019年4月15日（星期一），下午15：15
地点：浙江大学玉泉校区硅材料国家重点实验室1号楼会议室
报告人：王新强教授
邀请人：杨德仁院士
报告人简介：北京大学物理学院教授，教育部长江特聘教授，国家杰出青年基金获得者，万人计划中青年领军人才，现任北京大学东莞光电研究院院长，人工微结构和介观物理国家重点实验室副主任，北京大学人事部副部长，物理学院院长助理。分别于1996和2002年在吉林大学电子科学与技术学院获得学士和博士学位，2002-2008年在日本千叶大学和日本科学技术振兴机构进行研究工作，2008年由百人计划加入到北京大学物理学院工作。主要从事宽禁带半导体材料、物理与器件研究，发表SCI论文160余篇，SCI引用逾2500次，在国内外学术会议上做邀请报告30余次，担任Elsevier出版社“Superlattices and Microstructures”编辑，NPG出版社“Scientific Reports”和Wiley出版社Physica Status Solidi系列编委。
报告摘要：近二十年来，III族氮化物半导体材料以其宽带宽覆盖范围、强极化、抗辐照等多项优异的材料性能在半导体照明、微波通讯和电力电子等领域取得重要的研究进展，并实现了巨大的市场价值。材料是基础，而精确的外延控制是实现高质量材料的关键，尤其是原子层级上的外延控制更是实现高质量量子结构的前提。本报告从原子层外延调控出发，主要汇报InGaN单原子层面内原子的规则排列及其单光子源，基于GaN超薄量子结构的电子束泵浦紫外光源和蓝宝石衬底上GaN基共振隧穿二极管（RTD）等近期开展的研究工作。
